FQD3N30和FQD3N30TF

对比图

型号 FQD3N30 FQD3N30TF FQD3N30TM

描述 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFETN沟道 300V 2.4ATrans MOSFET N-CH 300V 2.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 300 V 300 V

额定电流 - 2.40 A 2.40 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 2.2 Ω 2.20 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 - 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 2.4A 2.40 A 2.40 A

上升时间 - 40 ns -

输入电容(Ciss) - 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free