THS4121IDR和THS4121IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4121IDR THS4121IDRG4 THS4121ID

描述 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃差分放大器 Fully Differential CMOS高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 100mA @3.3V 100mA @3.3V 100mA @3.3V

供电电流 11 mA 11 mA 11 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比 64 dB - 64dB ~ 96dB

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 43.0 V/μs 43.0 V/μs 55.0 V/μs

输入补偿电压 3 mV 3 mV 8 mV

输入偏置电流 1.2 pA 1.2 pA 1.2 pA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 60dB ~ 75dB 60dB ~ 75dB 64 dB

电源电压(Max) 3.5 V - 3.5 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

输入补偿漂移 - - 25.0 µV/K

增益频宽积 - - 100 MHz

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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