对比图
型号 IXFX32N50 IXFX32N50Q
描述 PLUS N-CH 500V 32APLUS N-CH 500V 32A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - 1
漏源极电阻 - 160 mΩ
极性 N-CH N-CH
耗散功率 360W (Tc) 416 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V
连续漏极电流(Ids) 32A 32A
上升时间 - 42 ns
输入电容(Ciss) 5450pF @25V(Vds) 3950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 416 W
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 416W (Tc)
长度 - 16.13 mm
宽度 - 5.21 mm
高度 - 21.34 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free