对比图
型号 BC857BW,115 BC857CWT1G BC857BW-7-F
描述 NXP BC857BW,115 单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 220 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管DIODES INC. BC857BW-7-F 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3
频率 100 MHz 100 MHz 200 MHz
额定电压(DC) - -45.0 V -65.0 V
额定电流 - -100 mA -100 mA
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 200 mW 150 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW
直流电流增益(hFE) 220 420 290
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -50 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW
增益频宽积 100 MHz - -
长度 - 2.2 mm -
宽度 - 1.35 mm -
高度 - 0.9 mm 1 mm
封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323-3
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 - - Yes
ECCN代码 - EAR99 EAR99