FQT7N10L和FQT7N10LTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQT7N10L FQT7N10LTF FQT7N10L99Z

描述 LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 VPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 1.70 A -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 275 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 2 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 220 pF -

栅电荷 - 4.60 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.70 A, 1.70 mA -

上升时间 - 100 ns -

输入电容(Ciss) - 290pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2W (Tc) -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.56 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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