IRF840I和TK8A50D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF840I TK8A50D ZDX080N50

描述 TO-220CFM N-CH 500V 8AMOS管N沟道 500V 8A

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-220 SC-67 TO-220-3

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 8A 8A 8A

耗散功率 - - 40 W

上升时间 - - 30 ns

输入电容(Ciss) - - 1120pF @25V(Vds)

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 40W (Tc)

封装 TO-220 SC-67 TO-220-3

长度 - - 15.4 mm

宽度 - - 10.3 mm

高度 - - 4.8 mm

产品生命周期 Obsolete Active Not For New Designs

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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