MMFT1N10ET1和MMFT1N10ET3

对比图

型号 MMFT1N10ET1 MMFT1N10ET3 MMFT1N10E

描述 中等功率场效应晶体管N沟道增强模式硅栅TMOS E-FET？SOT-223表面贴装这种先进的E-FET是一个TMOS中等功率MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。这种新型高效节能设备，还提供了一个漏 - 源二..SOT-223 N-CH 100V 1ASOT-223 N-CH 100V 1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

引脚数 4 - -

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

上升时间 15 ns - -

输入电容(Ciss) 410pF @20V(Vds) - -

下降时间 32 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 800 mW - -

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 1A 1A

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -