IXFT80N10和IXTP80N10T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT80N10 IXTP80N10T IXTA80N10T7

描述 TO-268 N-CH 100V 80AIXTP80N10T 管装D2PAK N-CH 100V 80A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-268-2 TO-220-3 TO-263-7

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 80A - 80A

耗散功率 - 230 W 230W (Tc)

输入电容(Ciss) - 3040pF @25V(Vds) 3040pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 230W (Tc) 230W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 14 mΩ -

漏源击穿电压 - 100 V -

上升时间 - 54 ns -

额定功率(Max) - 230 W -

下降时间 - 48 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-268-2 TO-220-3 TO-263-7

长度 - 10.66 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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