对比图
型号 IRLB3813PBF IRLB8743PBF STP200NF03
描述 INFINEON IRLB3813PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON IRLB8743PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.8 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 230 W 140 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0016 Ω 0.0025 Ω 0.0032 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 140 W 300 W
阈值电压 1.9 V 1.8 V 4 V
输入电容 8420 pF 5110pF @15V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 260A 150A 60.0 A
上升时间 170 ns 92 ns 195 ns
输入电容(Ciss) 8420pF @15V(Vds) 5110pF @15V(Vds) 4950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 140 W 300 W
下降时间 60 ns 36 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 230W (Tc) 140000 mW 300000 mW
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 120 A
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 9.02 mm 9.02 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99