对比图
型号 FQD13N10LTF IRF520NS FQD13N10LTM
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RD2PAK N-CH 100V 9.7AFQD13N10L 系列 100 V 10 A 180 mOhm N 沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 10.0 A 9.70 A -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 2.5W (Ta), 40W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 2.5 W
产品系列 - IRF520NS -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 9.70 A -
上升时间 - 23 ns 220 ns
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)
下降时间 - 23 ns 72 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 2500 mW
漏源极电阻 180 mΩ - 0.142 Ω
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2 V
额定功率(Max) - - 2.5 W
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.1 mm
高度 - - 2.3 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -