对比图
型号 MMBT3906TT1G PMST3906,115 MMBT3906LT1G
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBT3906TT1G 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 30 hFENXP PMST3906,115 单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT3906LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-75-3 SOT-323-3 SOT-23-3
频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz
额定电压(DC) -40.0 V - -40.0 V
额定电流 -200 mA - -200 mA
额定功率 - - 300 mW
针脚数 3 3 3
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 200 mW 200 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 300 100 300
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 0.2 W 300 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 60 @0.1mA, 1V -
长度 1.65 mm 2.2 mm 2.9 mm
宽度 0.9 mm 1.35 mm 1.3 mm
高度 0.8 mm 1 mm 0.94 mm
封装 SC-75-3 SOT-323-3 SOT-23-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - NLR