对比图
型号 APT8030JVR IXFX26N90 IXFE39N90
描述 Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4Pin SOT-227N沟道 900V 26AISOPLUS N-CH 900V 34A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Through Hole Surface Mount
引脚数 4 3 -
封装 SOT-227 TO-247-3 ISOPLUS-227-4
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 300 mΩ 220 mΩ
耗散功率 - 560 W 580 W
漏源极电压(Vds) 800 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 - 900 V 900 V
上升时间 14 ns 35 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 13400pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 24 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 450000 mW 560W (Tc) 580W (Tc)
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 25.0 A - -
输入电容 7.90 nF - -
栅电荷 510 nC - -
连续漏极电流(Ids) 25.0 A - 34A
极性 - - N-CH
长度 - 16.13 mm 38.23 mm
宽度 - 5.21 mm 25.42 mm
高度 - 21.34 mm 9.65 mm
封装 SOT-227 TO-247-3 ISOPLUS-227-4
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free