IXTP55N075T和IXTY55N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP55N075T IXTY55N075T IXTY50N085T

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 55A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTO-252AA N-CH 75V 55ATrans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin(2+Tab) TO-252AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 - N-CH -

耗散功率 130W (Tc) 130W (Tc) 130 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 85 V

连续漏极电流(Ids) - 55A -

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1460pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 23 mΩ

漏源击穿电压 - - 85 V

上升时间 - - 32 ns

下降时间 - - 33 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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