DS1250Y-70和DS1250AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250Y-70 DS1250AB-70+ M48Z512A-70PM1

描述 IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM4兆位( 512千位×8 ) ZEROPOWER® SRAM 4 Mbit (512 Kbit x 8) ZEROPOWER? SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 4.75V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 32 -

存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns

内存容量 500000 B 500000 B 4000000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

时钟频率 70.0 GHz - 70.0 GHz

存取时间(Max) - - 70 ns

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 - - 43.18 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 9.52 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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