对比图
型号 BSC100N03MSGATMA1 BSC884N03MSG BSC0902NS
描述 INFINEON BSC100N03MSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 VN沟道 34V 17A 85AINFINEON BSC0902NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
引脚数 8 - 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm - 5.9 mm
宽度 5.15 mm - 5.15 mm
高度 1.27 mm - 1.27 mm
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0083 Ω - 0.0022 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 30 W - 48 W
阈值电压 2 V - 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A - 24A
上升时间 4.8 ns - 5.2 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) - 1700pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 48 W
下降时间 5.4 ns - 3.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) - 2.5W (Ta), 48W (Tc)
额定功率 30 W - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 30 V - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)