VBT2080S-E3/8W和VBT2080S-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VBT2080S-E3/8W VBT2080S-E3/4W

描述 Trench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky RectifierTrench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 920mV @20A 920mV @20A

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

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