LMC662CM/NOPB和LMC662CMX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC662CM/NOPB LMC662CMX/NOPB AD8662ARZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CMX/NOPB  运算放大器, 轨至轨, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚 新Analog Devices### 运算放大器,Analog Devices

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 16.0 V

供电电流 750 µA 750 µA 1.25 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 63 dB 63dB ~ 83dB 100 dB

带宽 1.4 MHz 1.4 MHz 4 MHz

转换速率 1.10 V/μs 1.10 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.4 MHz 4 MHz

输入阻抗 - - 1.00 TΩ

输入补偿电压 1 mV 1 mV 50 µV

输入偏置电流 0.002 pA 0.002 pA 0.3 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.4 MHz 1.4 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 63 dB 63 dB 85 dB

电源电压 4.75V ~ 15.5V 4.75V ~ 15.5V 5V ~ 16V

电源电压(Max) 15.5 V 15.5 V 16 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 5 V

输出电流 22mA @5V 22mA @5V -

输入补偿漂移 1.30 µV/K 1.30 µV/K -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 - - No

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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