对比图
型号 FMH11N90E IXFT12N90Q IXFH12N90P
描述 TO-3P(Q) N-CH 900V 11AMOSFET N-CH 900V 12A TO-268IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-3 TO-268-3 TO-247-3
漏源极电阻 1 Ω 900 mΩ 0.9 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 285 W 300 W 380 W
输入电容 2300pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V -
连续漏极电流(Ids) 11A - 6A
热阻 0.4386℃/W (RθJC) - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3.5 V
上升时间 - 23 ns 34 ns
输入电容(Ciss) - 2900pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds)
下降时间 - 15 ns 68 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 380W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 15.5 mm 16.13 mm -
高度 19.5 mm 21.34 mm -
封装 TO-3 TO-268-3 TO-247-3
宽度 - 5.21 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15