IRGS4615DPBF和IRGS4615DTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGS4615DPBF IRGS4615DTRLPBF IRGS4615DTRRPBF

描述 IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 99000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 99000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 99 W 99 W 99000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 60 ns 60 ns 60 ns

额定功率(Max) 99 W 99 W 99 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 99 W 99000 mW 99000 mW

额定功率 99 W - -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.31 mm -

宽度 9.65 mm 9.45 mm -

高度 4.83 mm 4.57 mm -

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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