对比图
型号 BDX67C NTE2349 MJ15016G
描述 16A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, TO-3, 2PinNTE ELECTRONICS NTE2349 达林顿晶体管, NPN, 120V, TO-3ON SEMICONDUCTOR MJ15016G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 120 V, 18 MHz, 180 W, 15 A, 70 hFE
数据手册 ---
制造商 Semelab NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-3 TO-3 TO-204-2
额定电压(DC) - 120 V -120 V
额定电流 - 50.0 A -15.0 A
针脚数 - 2 2
极性 NPN NPN PNP, P-Channel
耗散功率 150 W 300 W 180 W
击穿电压(集电极-发射极) - 120V (min) 120 V
集电极最大允许电流 - 50A 15A
直流电流增益(hFE) 5200 1000 70
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300000 mW 115000 mW
频率 - - 18 MHz
热阻 - - 1.52℃/W (RθJC)
最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @4A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 70
额定功率(Max) - - 115 W
封装 TO-3 TO-3 TO-204-2
长度 - - 39.37 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 8.51 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412900951 -
材质 - - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 200℃