DMP2006UFG-13和DMP2006UFG-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMP2006UFG-13 DMP2006UFG-7

描述 MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64NCTrans MOSFET P-CH -20V -17.5A 8Pin PowerDI T/R

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

通道数 - 1

漏源极电阻 - 7 mΩ

极性 P-CH P-CH

耗散功率 2.3W (Ta) 41 W

阈值电压 - 1 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V

连续漏极电流(Ids) 17.5A 17.5A

上升时间 19 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 7500pF @10V(Vds) 5404pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W

下降时间 104 ns 104 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2300 mW 2.3W (Ta)

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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