UN111D和UNR111D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UN111D UNR111D NR111D

描述 PNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistorPNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) Panasonic (松下)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 - M-A1 -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.1A 100mA -

封装 - M-A1 -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台