对比图
型号 BSC520N15NS3GATMA1 FDMS2572 FDMS86252
描述 INFINEON BSC520N15NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86252 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.042 Ω 0.036 Ω 0.0439 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 57 W 78 W 69 W
阈值电压 3 V 3 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 21A 27.0 A 4.6A
上升时间 4 ns 8 ns 2.3 ns
输入电容(Ciss) 890pF @75V(Vds) 2610pF @75V(Vds) 905pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 57 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 3 ns 31 ns 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 57W (Tc) 78 W 2.5W (Ta), 69W (Tc)
额定功率 57 W - -
额定电压(DC) - 150 V -
额定电流 - 4.50 A -
通道数 - 1 -
输入电容 - 1.96 nF -
栅电荷 - 31.0 nC -
漏源击穿电压 - 150 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 5.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 5.15 mm 6 mm 6 mm
高度 1.27 mm 0.75 mm 1.05 mm
封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -