APT10025JVFR和APT10026JFLL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10025JVFR APT10026JFLL APT10026JLL

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227SOT-227 N-CH 1000V 30ATrans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 -

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 34.0 A 30.0 A 30.0 A

耗散功率 700 W 595 W -

输入电容 18.0 nF 7.11 nF 7.11 nF

栅电荷 990 nC 267 nC 267 nC

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1.00 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 34.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 20 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 700000 mW 595000 mW -

极性 - N-CH -

额定功率(Max) - - 595 W

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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