MJW18020和MJW18020G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJW18020 MJW18020G BUF420

描述 NPN硅功率晶体管高压平面 NPN Silicon Power Transistors High Voltage PlanarON SEMICONDUCTOR  MJW18020G.  双极性晶体管, NPN, 450V, TO-247高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218-3

频率 - 13 MHz -

额定电压(DC) - 450 V -

额定电流 - 20.0 A -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 W 250 W 200000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V 450 V

集电极最大允许电流 30A 30A 30A

最小电流放大倍数(hFE) 14 14 @3A, 5V -

额定功率(Max) - 250 W -

直流电流增益(hFE) - 4 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 W -

增益频宽积 13 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 34 - -

长度 16.26 mm 16.26 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 21.08 mm 21.08 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

最小包装 30 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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