IXDI602SIA和IXDI602SIATR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI602SIA IXDI602SIATR IR4426SPBF

描述 IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2ADriver 3.3A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor International Rectifier (国际整流器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 6.00V (min)

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 20.0 V

输出电流 - - 2.3 A

耗散功率 - - 0.625 W

产品系列 - - IR4426

上升时间 15 ns 7.5 ns 35 ns

下降时间 15 ns 6.5 ns 25 ns

下降时间(Max) 15 ns - 25 ns

上升时间(Max) 15 ns - 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 6V ~ 20V

电源电压(Max) - - 20 V

电源电压(Min) - - 6 V

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns -

输出电流(Max) 2 A - -

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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