对比图
型号 PH6030L PH6030L,115 PH60
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETTrans MOSFET N-CH 30V 76.7A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RTRANSISTOR 76.7 A, 30 V, 0.0097 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, LEAD FREE, PLASTIC, LFPAK-5, FET General Purpose Power
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 SOT-669 SOT-669 -
引脚数 - 5 -
极性 N-CH - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 76.7A - -
输入电容(Ciss) 2260pF @12V(Vds) 2260pF @12V(Vds) -
额定功率(Max) 62.5 W 62.5 W -
耗散功率 - 62.5 W -
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc) -
封装 SOT-669 SOT-669 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -