IDT70T3519S133BF和IDT70T651S12BFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T3519S133BF IDT70T651S12BFI 70T3519S166BFG

描述 HIGH -SPEED 2.5V一百二十八分之二百五十六/ 64K ×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 208

封装 LFBGA LFBGA CABGA-208

存取时间 - - 3.6 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 2.4V ~ 2.6V

电源电压(Max) - - 2.6 V

电源电压(Min) - - 2.4 V

长度 - - 15 mm

宽度 - - 15 mm

高度 - - 1.4 mm

封装 LFBGA LFBGA CABGA-208

厚度 - - 1.40 mm

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991 -

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