对比图
型号 SI7392DP-T1-GE3 SI7888DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO-8 SO-8
耗散功率 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
输入电容(Ciss) - - 1220pF @15V(Vds)
封装 SO-8 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free