对比图
型号 SI4816BDY-T1-GE3 SI4816DY-T1-E3 SI4816DY-T1-GE3
描述 MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOICDUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.0155 Ω 22.0 mΩ -
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel -
耗散功率 1.25 W 1.25 W -
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
额定功率(Max) 1W, 1.25W 1W, 1.25W -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
栅源击穿电压 - 20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 5.30 A -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 - - 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/06/16 - -