CY62137CV30LL-70BAXI和IS62WV12816BLL-55BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62137CV30LL-70BAXI IS62WV12816BLL-55BLI IS62WV12816BLL-55BLI-TR

描述 SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 70ns 48Pin FBGASRAM, 2 Mbit, 128K x 16位, 2.5V 至 3.6V, Mini BGA, 48 引脚, 55 ns2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 16,55ns,2.5V 3.6V,48 Ball MBGA (6x8 Mm), Leadfree

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 48 48

封装 - BGA-48 BGA-48

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - 3 mA 3 mA

位数 - 16 16

存取时间 - 55 ns 55 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

存取时间(Max) - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

针脚数 - 48 -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

封装 - BGA-48 BGA-48

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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