FQD7P06和STD10P6F6的区别_FQD7P06代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD7P06 STD10P6F6 SUD10P06-280L-E3

描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3/2

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.13 Ω -

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 - 35 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 340 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

上升时间 - 5.3 ns -

正向电压(Max) - 1.1 V -

输入电容(Ciss) - 340pF @48V(Vds) -

额定功率(Max) - 35 W -

下降时间 - 3.7 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 35W (Tc) -

连续漏极电流(Ids) 5.4A - -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 7.45 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 DPAK TO-252-3 -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -