IS61NLP25636A-200B3I和IS61NLP25636A-200B3LI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61NLP25636A-200B3I IS61NLP25636A-200B3LI

描述 静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3vSRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 165Pin BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 BGA-165 BGA-165

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 200MHz (max) 200MHz (max)

位数 36 36

存取时间 3.1 ns 3.1 ns

存取时间(Max) 3.1 ns 3.1 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

供电电流 - 280 mA

封装 BGA-165 BGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - EAR99

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