对比图
型号 FDB045AN08A0 FQB20N06 RFD14N05L
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-263-3 D2PAK TO-251-3
安装方式 Surface Mount - Through Hole
引脚数 3 - 3
极性 - N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 50 V
连续漏极电流(Ids) - 20A 14.0 A
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 14.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0045 Ω - 100 mΩ
耗散功率 310 W - 48 W
阈值电压 4 V - 2 V
漏源击穿电压 - - 50.0 V
栅源击穿电压 - - ±10.0 V
上升时间 88 ns - 24 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) - 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W - 48 W
下降时间 45 ns - 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 310 W - 48 W
封装 TO-263-3 D2PAK TO-251-3
长度 10.67 mm - 6.8 mm
宽度 11.33 mm - 2.5 mm
高度 4.83 mm - 6.3 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99