IRF220和STP190N55LF3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF220 STP190N55LF3 IRFZ14PBF

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3Pin(2+Tab) TO-355V,120A,N沟道MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 312 W 43 W

输入电容 - 6200 pF -

漏源极电压(Vds) - 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 120A 10.0 A

上升时间 - 40 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 6200pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 312 W 43 W

下降时间 - 40 ns 19 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 312W (Tc) 43 W

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 10.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.2 Ω

阈值电压 - - 2 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

产品系列 IRF220 - -

长度 - 10.4 mm 10.41 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 - 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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