对比图
型号 BUK9606-75B,118 STB75NF75LT4
描述 N沟道 VDS=75V VGS=±15V ID=75A P=300WSTMICROELECTRONICS STB75NF75LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 37.5 A, 75 V, 0.009 ohm, 15 V, 2.5 V
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V
上升时间 144 ns 155 ns
输入电容(Ciss) 11693pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W
下降时间 116 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 8770 pF -
额定电压(DC) - 75.0 V
额定电流 - 75.0 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.009 Ω
极性 - N-Channel
阈值电压 - 2.5 V
漏源击穿电压 - 75.0 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) - 75.0 A
高度 - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17