对比图
型号 BC63916_D27Z BC639ZL1 BC63916_D74Z
描述 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 T/RTO-92 NPN 80V 1ATrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3Pin TO-92 Ammo
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-92 TO-226-3 TO-226-3
频率 100 MHz - 100 MHz
耗散功率 1 W 625 mW 1 W
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V
额定功率(Max) - 625 mW 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW
额定电压(DC) - 80.0 V -
额定电流 - 1.00 A -
极性 - NPN -
增益频宽积 - 200 MHz -
集电极最大允许电流 - 1A -
封装 TO-92 TO-226-3 TO-226-3
高度 5.33 mm 5.33 mm -
长度 - 5.2 mm -
宽度 - 4.19 mm -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Box
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅