对比图
描述 DFN-B N-CH 30V 0.9ATrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3Pin DFN T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DFN1006B-3 DFN1006B-3
引脚数 3 -
耗散功率 350mW (Ta), 5.43W (Tc) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 41pF @15V(Vds) 65pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 350mW (Ta), 5.43W (Tc) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 0.9A -
上升时间 8 ns -
下降时间 3 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 DFN1006B-3 DFN1006B-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Pre-Release Active
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free