对比图
型号 APT50GF120B2R IXER60N120 APT50GF120B2RG
描述 IGBT 1200V 135A 781W TMAXTrans IGBT Chip N-CH 1.2kV 95A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - ISOPLUS-247 TO-247-3
额定电压(DC) - - 1.20 kV
额定电流 - - 156 A
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 1200 V
额定功率(Max) - 375 W 781 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 781 W - 781000 mW
极性 - NPN, N-Channel -
耗散功率 - 375 W -
上升时间 - 50.0 ns -
封装 - ISOPLUS-247 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free