TD62001P和ULN2004A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD62001P ULN2004A ULN2001A

描述 PDIP NPN 35V 0.5ASTMICROELECTRONICS  ULN2004A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMICROELECTRONICS  ULN2001A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 16 16

封装 PDIP DIP-16 DIP-16

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出接口数 - 7 -

输出电压 - 50 V 50 V

输出电流 - 500 mA 500 mA

通道数 - 7 7

针脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

输入电容 - 15.0 pF -

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 50 V 50 V

热阻 - 70 ℃/W -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V

输入电压(Max) - 15 V -

输入电压(Min) - 6 V -

输出电压(Max) - 50 V -

输出电流(Max) - 500 mA -

直流电流增益(hFE) - 1000 1000

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -20 ℃ -40 ℃

输入电压 - 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

长度 - 20 mm 19.69 mm

宽度 - 7.1 mm 7.11 mm

高度 - 5.1 mm 4.95 mm

封装 PDIP DIP-16 DIP-16

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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