对比图
型号 IRF731 IRF733
描述 N沟道 350V 5.5APower Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
数据手册 --
制造商 Harris Harris
分类
封装 TO-220AB -
封装 TO-220AB -
产品生命周期 Obsolete Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free -