对比图
型号 SI7462DP-T1-E3 SI7462DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 PowerPAKSO-8 SO-8
漏源极电阻 0.142 Ω -
极性 N-Channel -
耗散功率 1.9 W 1.9W (Ta)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 4.10 A -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
长度 5.99 mm 6.15 mm
封装 PowerPAKSO-8 SO-8
宽度 - 5.15 mm
高度 - 1.04 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free