对比图
型号 CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19535KTT
描述 CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas InstrumentsCSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 375 W 375 W 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A
上升时间 8 ns 8 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 12000pF @50V(Vds) 9250pF @50V(Vds) 7930pF @50V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)
漏源极电阻 - 0.002 Ω -
阈值电压 - 2.5 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -