对比图
型号 IRF7329TRPBF SI4943BDY-T1-E3 IRF7329PBF
描述 MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETINFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - - 2 W
通道数 - - 2
针脚数 - - 8
漏源极电阻 30 mΩ 19 mΩ 0.017 Ω
极性 Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 - - 900 mV
漏源极电压(Vds) 12 V 20 V 12 V
漏源击穿电压 - - 12 V
连续漏极电流(Ids) 9.20 A -8.40 A 9.2A
上升时间 - 10 ns 8.6 ns
输入电容(Ciss) 3450pF @10V(Vds) - 3450pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 1.1 W 2 W
下降时间 - 60 ns 260 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W
额定电压(DC) -12.0 V - -
额定电流 -9.20 A - -
反向恢复时间 - 55 ns -
正向电压(Max) - 1.2 V -
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17