CY7C1460AV25-167BZXI和CY7C1460KV25-167BZXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1460AV25-167BZXI CY7C1460KV25-167BZXI CY7C1460AV25-200BZC

描述 36兆位( 1M ×36 / 2M ×18 / 512K X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s36兆位( 1M ×36 / 2M ×18 / 512K X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 3.4 ns 3.4 ns 3.2 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V

位数 36 36 -

存取时间(Max) 3.4 ns - -

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.b -

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