对比图
型号 IXTA180N10T IXTH180N10T BUK764R3-40B,118
描述 N沟道 100V 180AN沟道 100V 180AD2PAK N-CH 40V 176A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 480 W 480 W 254 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 180A 180A 176A
输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 4824pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 480 W 254 W
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 254W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源极电阻 6.4 mΩ 6.4 mΩ -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
上升时间 54 ns 54 ns -
下降时间 31 ns 31 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
长度 9.9 mm 16.26 mm -
宽度 9.2 mm 5.3 mm -
高度 4.5 mm 21.46 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free