对比图
型号 IRF3710SPBF IRF3710STRRPBF
描述 INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VN 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 3.8 W
产品系列 - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V
连续漏极电流(Ids) 57A 57A
上升时间 58 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - -
额定功率 200 W 200 W
通道数 - 1
漏源极电阻 0.023 Ω 23 mΩ
下降时间 47 ns 47 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc)
针脚数 3 -
阈值电压 4 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 6.5 mm
宽度 9.65 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 2.3 mm
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)