对比图
型号 PHE13003C,412 STBV32G PHD13003C,412
描述 PHE13003C,412 袋装高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W
数据手册 ---
制造商 We En Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) We En Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3
额定功率 2.1 W - 2.1 W
针脚数 3 - -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2.1 W - 2.1 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V
额定功率(Max) 2.1 W 1.5 W 2.1 W
直流电流增益(hFE) 17 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 2100 mW - -
最大电流放大倍数(hFE) - - 25
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅