BD136和BD13616STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD136 BD13616STU

描述 PNP 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13616STU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 12.5 W, -1.5 A, 100 hFE

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz -

针脚数 3 3

极性 P-Channel PNP

耗散功率 1.25 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 12.5 W

额定电压(DC) - -45.0 V

额定电流 - -1.50 A

集电极最大允许电流 - 1.5A

最大电流放大倍数(hFE) - 250

长度 7.8 mm 8 mm

宽度 2.7 mm 3.25 mm

高度 10.8 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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