对比图
型号 2N2925 MPSA62 MPSA12
描述 NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE达林顿晶体管（ PNP硅） Darlington Transistors(PNP Silicon)NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - - Through Hole
封装 TO-226 TO-92 TO-92-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 10.0 mA
极性 NPN - NPN
耗散功率 360 mW 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) - - 20 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 20000 @10mA, 5V
额定功率(Max) - - 625 mW
工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) 400 - -
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
封装 TO-226 TO-92 TO-92-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99